VISHAY SIJK5100E-T1-GE3
Артикул: C42165820
Part Number: SIJK5100E-T1-GE3
Производитель: VISHAY
от 6.092400 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 6.360500 ₽ |
| 10 шт. | 6.246700 ₽ |
| 30 шт. | 6.168700 ₽ |
| 100 шт. | 6.092400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 417A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 536W |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 1.1mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 131nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 11.48nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 17pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 3.21nF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
536W 100V 417A 2V 1.1mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный PowerPAK(10x12) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)