DIODES ZXMHC6A07N8
Артикул: C41821
Part Number: ZXMHC6A07N8
Производитель: DIODES
от 0.549200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.571900 ₽ |
| 10 шт. | 0.562200 ₽ |
| 30 шт. | 0.555700 ₽ |
| 100 шт. | 0.549200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 N-Channel + 2 P-Channel |
| Тип | N-Channel + P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Конфигурация | Full bridge |
| Непрерывный ток стока (Id) | 1.8A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.36W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 350mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 5.1nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 166pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 10.8pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 19.5pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
1.36W 60V 1.8A 3V 350mΩ@4.5V 2 N-канальный + 2 P-канальный N-канальный + P-канальный SOIC-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)