Автомобильного класса кремний карбид мощность MOSFET 1200 V, 18.5 mQ типовое значение., 100 A in an HU3PAK корпус
Артикул: C41638004
Part Number: SCT020HU120G3AG
Производитель: ST
от 24.356300 ₽
В наличии: 5 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 25.452800 ₽ |
| 10 шт. | 24.356300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 1.2kV |
| Непрерывный ток стока (Id) | 100A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 555W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4.2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 28mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 121nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 3.465nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 13.5pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 140pF |
Описание
1.2kV 100A 4.2V 555W 28mΩ 1 N-канальный N-канальный HU3PAK одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS