650V, 33mOhm галлий нитрид (GaN) FET in a CCPAK1212i корпус
Артикул: C41571513
Part Number: GAN039-650NTBJ
Производитель: Nexperia
от 24.191500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 24.641600 ₽ |
| 10 шт. | 24.191500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Технология | E-mode |
| Непрерывный ток стока (Id) | 58.5A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 250W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3.9V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 33mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 26nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1980pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 1.6pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 144pF |
Описание
650V 58.5A 3.9V 250W 33mΩ 1 N-канальный N-канальный CCPAK1212i одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS