Диод кремний эпитаксиальный планарный тип, высокий коэффициент перекрытия по ёмкости, низкий серия сопротивление
Артикул: C4153758
Part Number: 1SV325,H3F
Производитель: TOSHIBA
от 0.062300 ₽
В наличии: 3635 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.125500 ₽ |
| 50 шт. | 0.098300 ₽ |
| 150 шт. | 0.084700 ₽ |
| 500 шт. | 0.074500 ₽ |
| 2500 шт. | 0.066400 ₽ |
| 4000 шт. | 0.062300 ₽ |
Характеристики
| Постоянное обратное напряжение (Vr) | 10V |
| Ёмкость диода | 49.5pF@1V,1MHz;12pF@4V,1MHz |
| Коэффициент перекрытия по ёмкости | 4.3 |
| Последовательное сопротивление (Rs) | 400mΩ |
Описание
4.3 10V 400mΩ SOD-523 диоды переменной ёмкости (варикапы, варакторы) RoHS