100V N-канальный мощность MOSFET
Артикул: C4153749
Part Number: YSP040N010T1A
Производитель: luxin-semi
от 0.753900 ₽
В наличии: 1 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.401200 ₽ |
| 10 шт. | 1.165200 ₽ |
| 50 шт. | 0.996400 ₽ |
| 100 шт. | 0.849000 ₽ |
| 500 шт. | 0.783400 ₽ |
| 1200 шт. | 0.753900 ₽ |
Характеристики
| Тип | N-Channel |
| Количество | 1 N-channel |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 236W |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 120A |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Заряд затвора (Qg) | 67nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 4.7nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 31pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 1.08nF |
| Конфигурация | - |
Описание
236W 3V N-канальный 1 N-канальный 120A 100V TO-220 одиночные IGBT-транзисторы