Высокий-боковой N-канальный MOSFET для батарея заряд-разряд система управление

Высокий-боковой N-канальный MOSFET для батарея заряд-разряд система управление

Артикул: C41433640 Part Number: SiLM2661CA-DG Производитель: Sillumin
от 0.426600 ₽ В наличии: 1796 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 0.801200 ₽
10 шт. 0.642300 ₽
30 шт. 0.562800 ₽
100 шт. 0.483300 ₽
500 шт. 0.450900 ₽
1000 шт. 0.426600 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип нагрузки MOSFET
Конфигурация управления High Side
Время задержки высокого уровня -
Время задержки низкого уровня -
Время спада -
Время нарастания -
Выходной ток высокого уровня (IOH) -
Напряжение питания 8V~90V
Выходной ток низкого уровня (IOL) -
Особенности Enable shutdown;Charge pump boost
Ток покоя 40uA
Входной логический уровень — низкий 600mV
Входной логический уровень — высокий 1.2V

Описание

8V~90V SOP-8 драйверы затворов