Высокий-боковой N-канальный MOSFET для батарея заряд-разряд система управление
Артикул: C41433639
Part Number: SiLM2660CD-DG
Производитель: Sillumin
от 0.335800 ₽
В наличии: 430 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.619700 ₽ |
| 10 шт. | 0.494800 ₽ |
| 30 шт. | 0.431500 ₽ |
| 100 шт. | 0.368300 ₽ |
| 500 шт. | 0.355300 ₽ |
| 1000 шт. | 0.335800 ₽ |
Характеристики
| Тип нагрузки | MOSFET |
| Конфигурация управления | High Side |
| Время задержки высокого уровня | - |
| Время задержки низкого уровня | - |
| Время спада | - |
| Время нарастания | - |
| Выходной ток высокого уровня (IOH) | - |
| Напряжение питания | 8V~90V |
| Выходной ток низкого уровня (IOL) | - |
| Особенности | Enable shutdown;Charge pump boost |
| Ток покоя | 40uA |
| Входной логический уровень — низкий | 600mV |
| Входной логический уровень — высокий | 1.2V |
Описание
8V~90V TSSOP-16 драйверы затворов