HXY MOSFET HC1M45065J
Артикул: C41428800
Part Number: HC1M45065J
Производитель: HXY MOSFET
от 5.862500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 15.464900 ₽ |
| 200 шт. | 6.172100 ₽ |
| 500 шт. | 5.965200 ₽ |
| 1000 шт. | 5.862500 ₽ |
Характеристики
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 49A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 85W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 45mΩ@18V |
| Заряд затвора (Qg) | 96nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.823nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 19pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 190pF |
Описание
650V 49A 4V 85W 45mΩ@18V N-канальный TO-247-4L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)