Высокой мощности NPT & прочный тип IGBT модуль

Высокой мощности NPT & прочный тип IGBT модуль

Артикул: C41417724 Part Number: ESJ75SH120AN Производитель: MASPOWER
от 35.780800 ₽ В наличии: 5 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 36.950500 ₽
30 шт. 35.780800 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT NPT (Non-Punch Through)
Рассеиваемая мощность (Pd) -
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 1.2kV
Ток коллектора (Ic) 150A
Ток отсечки коллектора (Ices) 100uA
Рабочая температура -40℃~+125℃
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 3.7V@75A,15V
Заряд затвора (Qg) 650nC@15V
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 4.5V@250uA
Входная ёмкость (Cies) -
Выходная ёмкость (Coes) -
Проходная ёмкость (Cres) -
Время задержки включения Td(on) 160ns
Время задержки выключения Td(off) 470ns
Энергия потерь при включении (Eon) 4.7mJ
Энергия потерь при выключении (Eoff) 2.3mJ
Время обратного восстановления (trr) 150ns

Описание

150A 1.2kV NPT (не-пробойник Through) FD-7 одиночные IGBT-транзисторы RoHS