Hangzhou Silan Microelectronics SVF12N65CKL
Артикул: C414165
Part Number: SVF12N65CKL
Производитель: Hangzhou Silan Microelectronics
от 0.732800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.153500 ₽ |
| 10 шт. | 0.981300 ₽ |
| 50 шт. | 0.895200 ₽ |
| 100 шт. | 0.809100 ₽ |
| 500 шт. | 0.758700 ₽ |
| 1000 шт. | 0.732800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 12A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 209W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 800mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 32.5nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.39nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 15.2pF |
Описание
650V 12A 4V 209W 800mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-262-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)