Hangzhou Silan Microelectronics SVF4N60CAMJ
Артикул: C414164
Part Number: SVF4N60CAMJ
Производитель: Hangzhou Silan Microelectronics
от 0.178100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.293300 ₽ |
| 10 шт. | 0.244100 ₽ |
| 50 шт. | 0.223100 ₽ |
| 100 шт. | 0.196800 ₽ |
| 500 шт. | 0.185100 ₽ |
| 1000 шт. | 0.178100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 600V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 4A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 86W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 2.4Ω@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 26nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 433pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 4.5pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 55pF |
Описание
600V 4A 4V 86W 2.4Ω@10V 1 N-канальный N-канальный TO-251 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)