Однофазный высокий-боковой и низкий-боковой мощность MOSFET/IGBT драйвер микросхема
Артикул: C41414476
Part Number: G2025
Производитель: WXNSIC
от 0.070500 ₽
В наличии: 570 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.137400 ₽ |
| 50 шт. | 0.108700 ₽ |
| 150 шт. | 0.094300 ₽ |
| 500 шт. | 0.083500 ₽ |
| 2500 шт. | 0.074800 ₽ |
| 4000 шт. | 0.070500 ₽ |
Характеристики
| Тип нагрузки | MOSFET;IGBT |
| Конфигурация управления | High Side;Low Side |
| Время задержки высокого уровня | - |
| Время задержки низкого уровня | - |
| Время спада | 40ns |
| Время нарастания | 60ns |
| Выходной ток высокого уровня (IOH) | 1.2A |
| Напряжение питания | 10V~20V |
| Выходной ток низкого уровня (IOL) | 1.5A |
| Особенности | Dead-time control;Interleaved conduction protection |
| Ток покоя | 200uA |
| Входной логический уровень — низкий | - |
| Входной логический уровень — высокий | - |
Описание
Низкий боковой высокий боковой драйвер затвора микросхема MOSFET IGBT SOIC-8