Однофазный высокий-боковой и низкий-боковой мощность MOSFET/IGBT драйвер микросхема
Артикул: C41414474
Part Number: G2021Q
Производитель: WXNSIC
от 0.106400 ₽
В наличии: 1125 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.215700 ₽ |
| 50 шт. | 0.169100 ₽ |
| 150 шт. | 0.149100 ₽ |
| 500 шт. | 0.124200 ₽ |
| 3000 шт. | 0.113100 ₽ |
| 6000 шт. | 0.106400 ₽ |
Характеристики
| Тип нагрузки | MOSFET;IGBT |
| Конфигурация управления | High Side;Low Side |
| Время задержки высокого уровня | 140ns |
| Время задержки низкого уровня | 150ns |
| Время спада | 40ns |
| Время нарастания | 50ns |
| Выходной ток высокого уровня (IOH) | 1.2A |
| Напряжение питания | 9V~20V |
| Выходной ток низкого уровня (IOL) | 1.5A |
| Особенности | Dead-time control;Interleaved conduction protection |
| Ток покоя | 160uA |
| Входной логический уровень — низкий | 800mV |
| Входной логический уровень — высокий | 2.5V |
Описание
Драйвер затвора микросхема MOSFET IGBT DFN-8-EP(2x3)