Однофазный высокий-боковой и низкий-боковой мощность MOSFET/IGBT драйвер микросхема
Артикул: C41414473
Part Number: G2020Q
Производитель: WXNSIC
от 0.107800 ₽
В наличии: 5040 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.217200 ₽ |
| 50 шт. | 0.170500 ₽ |
| 150 шт. | 0.150500 ₽ |
| 500 шт. | 0.125600 ₽ |
| 2500 шт. | 0.114500 ₽ |
| 5000 шт. | 0.107800 ₽ |
Характеристики
| Тип нагрузки | MOSFET |
| Конфигурация управления | High Side;Low Side |
| Время задержки высокого уровня | - |
| Время задержки низкого уровня | - |
| Время спада | 40ns |
| Время нарастания | 50ns |
| Выходной ток высокого уровня (IOH) | 1.2A |
| Напряжение питания | 9V~20V |
| Выходной ток низкого уровня (IOL) | 1.5A |
| Особенности | Dead-time control;Interleaved conduction protection |
| Ток покоя | 160uA |
| Входной логический уровень — низкий | - |
| Входной логический уровень — высокий | - |
Описание
Низкий боковой высокий боковой драйвер затвора микросхема MOSFET DFN-8-EP(3x3)