Полумостовой для мощность MOSFET/IGBT Drive
Артикул: C41374692
Part Number: U2115D
Производитель: UNI-SEMIC
от 0.087600 ₽
В наличии: 430 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.127600 ₽ |
| 50 шт. | 0.110600 ₽ |
| 150 шт. | 0.103200 ₽ |
| 500 шт. | 0.094100 ₽ |
| 2500 шт. | 0.090000 ₽ |
| 4000 шт. | 0.087600 ₽ |
Характеристики
| Тип нагрузки | MOSFET;IGBT |
| Конфигурация управления | Half-Bridge |
| Время задержки высокого уровня | 150ns |
| Время задержки низкого уровня | 450ns |
| Время спада | 25ns |
| Время нарастания | 50ns |
| Выходной ток высокого уровня (IOH) | 1.2A |
| Напряжение питания | 5V~20V |
| Выходной ток низкого уровня (IOL) | 1A |
| Особенности | Built-in bootstrap diode;Interleaved conduction protection;Dead-time control |
| Ток покоя | 70uA |
| Входной логический уровень — низкий | - |
| Входной логический уровень — высокий | - |
Описание
5V~20V 1A 1.2A SOP-8 драйверы затворов RoHS