Полумостовой для мощность MOSFET/IGBT Drive

Полумостовой для мощность MOSFET/IGBT Drive

Артикул: C41374690 Part Number: U3115D Производитель: UNI-SEMIC
от 0.113600 ₽ В наличии: 1815 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
5 шт. 0.228800 ₽
50 шт. 0.179700 ₽
150 шт. 0.158600 ₽
500 шт. 0.132300 ₽
2500 шт. 0.120700 ₽
4000 шт. 0.113600 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип нагрузки MOSFET;IGBT
Конфигурация управления Half-Bridge
Время задержки высокого уровня 150ns
Время задержки низкого уровня 450ns
Время спада 25ns
Время нарастания 50ns
Выходной ток высокого уровня (IOH) 1.2A
Напряжение питания 5V~20V
Выходной ток низкого уровня (IOL) 1A
Особенности Dead-time control;Interleaved conduction protection;Built-in bootstrap diode
Ток покоя 70uA
Входной логический уровень — низкий -
Входной логический уровень — высокий -

Описание

5V~20V 1A 1.2A SOP-8 драйверы затворов RoHS