650V GaN обогащение-режим мощность транзистор
Артикул: C41369700
Part Number: CID45N65MD
Производитель: Tokmas
от 4.316800 ₽
В наличии: 968 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 6.115100 ₽ |
| 10 шт. | 5.267400 ₽ |
| 30 шт. | 4.751300 ₽ |
| 100 шт. | 4.316800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Технология | E-mode |
| Непрерывный ток стока (Id) | 45A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 312W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.7V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 35mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 13nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 443pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 0.26pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 135pF |
Описание
650V 45A 1.7V 312W 35mΩ 1 N-канальный N-канальный TOLT-16 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS