NPN дарлингтона транзисторы

NPN дарлингтона транзисторы

Артикул: C41364887 Part Number: BCV47 Производитель: HXY MOSFET
от 0.028900 ₽ В наличии: 110 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
10 шт. 0.053000 ₽
100 шт. 0.042600 ₽
300 шт. 0.037400 ₽
3000 шт. 0.033600 ₽
6000 шт. 0.030400 ₽
9000 шт. 0.028900 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 60V
Ток коллектора (Ic) 500mA
Рассеиваемая мощность (Pd) 200mW
Рабочая температура -
Коэффициент усиления по постоянному току 2000;4000;10000
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1V
Ток отсечки коллектора 100nA
Напряжение эмиттер–база VEBO 10V
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) 1.5V
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) 1.4V
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 220MHz

Описание

60V 500mA NPN SOT-23 одиночные биполярные транзисторы RoHS