Высокоскоростной ограничение поля траншейный IGBT
Артикул: C41348477
Part Number: MBQ40T120QESTH
Производитель: MagnaChip Semicon
от 1.765000 ₽
В наличии: 269 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.969600 ₽ |
| 10 шт. | 2.520500 ₽ |
| 30 шт. | 2.238700 ₽ |
| 90 шт. | 1.951900 ₽ |
| 510 шт. | 1.820800 ₽ |
| 990 шт. | 1.765000 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 428W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 80A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.75V@40A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 428nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4V@1mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 6.78nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 158pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 86pF |
| Время задержки включения Td(on) | 74ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 178ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 5.13mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 770uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 285ns |
Описание
428W 80A 1.2kV FS (ограничение поля) TO-247 одиночные IGBT-транзисторы