MagnaChip Semicon MBQ50T65FESCTH
Артикул: C41348474
Part Number: MBQ50T65FESCTH
Производитель: MagnaChip Semicon
от 1.047800 ₽
В наличии: 90 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.790000 ₽ |
| 10 шт. | 1.512500 ₽ |
| 30 шт. | 1.340100 ₽ |
| 100 шт. | 1.162700 ₽ |
| 500 шт. | 1.082200 ₽ |
| 1000 шт. | 1.047800 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 375W;188W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 100A;50A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | 40uA |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.85V;2.2V |
| Заряд затвора (Qg) | 287nC@520V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5V |
| Входная ёмкость (Cies) | 4.453nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 238pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 161pF |
| Время задержки включения Td(on) | 58ns;51ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 328ns;350ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 770uJ;1.05mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 550uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 80ns;116ns |
Описание
650V FS (ограничение поля) TO-247 одиночные IGBT-транзисторы