ST STH80N10F7-2
Артикул: C411894
Part Number: STH80N10F7-2
Производитель: ST
от 1.442700 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.069800 ₽ |
| 10 шт. | 1.826100 ₽ |
| 30 шт. | 1.691300 ₽ |
| 100 шт. | 1.540200 ₽ |
| 500 шт. | 1.473600 ₽ |
| 1000 шт. | 1.442700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 80A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 110W |
| Рабочая температура | - |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 9.5mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 45nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 3.1nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 45pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 700pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
110W 100V 80A 4.5V 9.5mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный H2PAK-2 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)