Hangzhou Silan Microelectronics SVS7N65FJD2
Артикул: C403827
Part Number: SVS7N65FJD2
Производитель: Hangzhou Silan Microelectronics
от 0.745800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.796100 ₽ |
| 10 шт. | 0.784700 ₽ |
| 30 шт. | 0.776600 ₽ |
| 100 шт. | 0.745800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 7A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 30W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 550mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 16nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 423pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 1.9pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 27pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±30V |
Описание
650V 7A 4V 30W 550mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-220FJ-3L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)