Hangzhou Silan Microelectronics SVF1N60B
Артикул: C403818
Part Number: SVF1N60B
Производитель: Hangzhou Silan Microelectronics
от 0.077200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.124400 ₽ |
| 50 шт. | 0.104100 ₽ |
| 150 шт. | 0.094000 ₽ |
| 500 шт. | 0.086400 ₽ |
| 2000 шт. | 0.080300 ₽ |
| 4000 шт. | 0.077200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 600V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 1A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 9W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 11Ω@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 3.45nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 120.3pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 0.8pF |
Описание
600V 1A 4V 9W 11Ω@10V 1 N-канальный N-канальный TO-92-2.5mm одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)