Ограничение поля траншейный биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Ограничение поля траншейный биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Артикул: C400995 Part Number: KGF25N120KDA Производитель: KEC
от 0.800300 ₽ В наличии: 358 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 1.582500 ₽
10 шт. 1.321700 ₽
30 шт. 1.067600 ₽
90 шт. 0.905200 ₽
510 шт. 0.833100 ₽
990 шт. 0.800300 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT FS (Field Stop)
Рассеиваемая мощность (Pd) 227W
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 1.2kV
Ток коллектора (Ic) 50A
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Рабочая температура -
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 2.4V@25A,15V
Заряд затвора (Qg) 160nC@15V
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 4.5V@25mA
Входная ёмкость (Cies) 2.65nF
Выходная ёмкость (Coes) 115pF
Проходная ёмкость (Cres) 70pF
Время задержки включения Td(on) 40ns
Время задержки выключения Td(off) 180ns
Энергия потерь при включении (Eon) 1.85mJ
Энергия потерь при выключении (Eoff) 900uJ
Время обратного восстановления (trr) 140ns

Описание

227W 50A 1.2kV FS (ограничение поля) TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS