Hangzhou Silan Microelectronics SVD640T
Артикул: C393726
Part Number: SVD640T
Производитель: Hangzhou Silan Microelectronics
от 0.339600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.570300 ₽ |
| 10 шт. | 0.471200 ₽ |
| 50 шт. | 0.429000 ₽ |
| 100 шт. | 0.377000 ₽ |
| 500 шт. | 0.354200 ₽ |
| 1000 шт. | 0.339600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 200V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 18A |
| Рабочая температура | -65℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 150mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 41nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.108nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 34pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 160pF |
Описание
200V 18A 4V 150W 150mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-220 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)