Транзистор предварительное смещение 50V SOT-363
Артикул: C391239
Part Number: MUN5333DW1T1G
Производитель: onsemi
от 0.025400 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.045800 ₽ |
| 100 шт. | 0.037200 ₽ |
| 300 шт. | 0.032900 ₽ |
| 3000 шт. | 0.029700 ₽ |
| 6000 шт. | 0.027100 ₽ |
| 9000 шт. | 0.025800 ₽ |
| 21000 шт. | 0.025500 ₽ |
| 39000 шт. | 0.025400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Pre-Biased |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 187mW |
| Тип | NPN+PNP |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 80 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 900mV |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 600mV |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 200mV |
| Входной резистор | 4.7kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 0.1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 250mV |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 50V 100mA 187mW поверхностный монтаж SOT-363