Биполярный транзисторы кремний NPN эпитаксиальный тип (PCT процесс)(со встроенными резисторами смещения транзистор)
Артикул: C38991825
Part Number: RN1313,LXHF
Производитель: TOSHIBA
от 0.128800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.133100 ₽ |
| 50 шт. | 0.131300 ₽ |
| 150 шт. | 0.130000 ₽ |
| 500 шт. | 0.128800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN |
| Тип | NPN |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 100mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 700 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 5V |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 300mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
50V 700 100mA 1 NPN NPN 100mW SOT-323 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS