onsemi NGTB75N65FL2WG
Артикул: C389626
Part Number: NGTB75N65FL2WG
Производитель: onsemi
от 8.878600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 11.188800 ₽ |
| 10 шт. | 10.098700 ₽ |
| 30 шт. | 9.434200 ₽ |
| 100 шт. | 8.878600 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 595W;265W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 100A;75A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.3V |
| Заряд затвора (Qg) | 310nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.5V |
| Входная ёмкость (Cies) | 7.5nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 300pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 190pF |
| Время задержки включения Td(on) | 110ns;100ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 270ns;280ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 2.2mJ;2.8mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 1.1mJ;1.6mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 80ns;143ns |
Описание
650V FS (ограничение поля) TO-247AC-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS