Кремний карбид (SiC) MOSFET

Кремний карбид (SiC) MOSFET

Артикул: C38351569 Part Number: NTH4L023N065M3S Производитель: onsemi
от 7.450700 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 10.583600 ₽
10 шт. 9.106100 ₽
30 шт. 8.205700 ₽
100 шт. 7.450700 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 N-channel
Тип N-Channel
Напряжение сток–исток 650V
Непрерывный ток стока (Id) 67A
Рабочая температура -55℃~+175℃
Рассеиваемая мощность (Pd) 245W
Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) 4V
Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) 33mΩ
Заряд затвора (Qg) 69nC
Входная ёмкость (Ciss) 1.952nF
Проходная ёмкость (Crss при Vds) 13pF
Выходная ёмкость (Coss) 153pF

Описание

650V 67A 245W монтаж в отверстия TO-247-4L