1200V кремний карбид мощность MOSFET G2 （ N канал обогащение ）
Артикул: C37636037
Part Number: SG2M040120L
Производитель: Sichainsemi
от 3.296500 ₽
В наличии: 60 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 3.809900 ₽ |
| 10 шт. | 3.611600 ₽ |
| 30 шт. | 3.494800 ₽ |
| 90 шт. | 3.376500 ₽ |
| 510 шт. | 3.322100 ₽ |
| 990 шт. | 3.296500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 1.2kV |
| Непрерывный ток стока (Id) | 62A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 268W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 52mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 65nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.171nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 3.8pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 109pF |
Описание
1.2kV 62A 3.6V 268W 52mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-247-4L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS