Высокой мощности NPT & прочный тип IGBT модуль

Высокой мощности NPT & прочный тип IGBT модуль

Артикул: C37635852 Part Number: ESJ100SH60N Производитель: MASPOWER
от 34.623100 ₽ В наличии: 10 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 34.623100 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT NPT (Non-Punch Through)
Рассеиваемая мощность (Pd) -
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 600V
Ток коллектора (Ic) 200A
Ток отсечки коллектора (Ices) 100uA
Рабочая температура -40℃~+125℃
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 2.35V@100A,15V
Заряд затвора (Qg) 560nC@15V
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 3.5V@250uA
Входная ёмкость (Cies) 5.85nF
Выходная ёмкость (Coes) 780pF
Проходная ёмкость (Cres) 280pF
Время задержки включения Td(on) 120ns
Время задержки выключения Td(off) 250ns
Энергия потерь при включении (Eon) 1mJ
Энергия потерь при выключении (Eoff) 1.9mJ
Время обратного восстановления (trr) 180ns

Описание

200A 600V NPT (не-пробойник Through) FD7 одиночные IGBT-транзисторы RoHS