Очень низкий насыщение напряжение, высокий переход температура, TO-247 плюс корпус

Очень низкий насыщение напряжение, высокий переход температура, TO-247 плюс корпус

Артикул: C37635832 Part Number: MSG200T65HLC1 Производитель: MASPOWER
от 15.208100 ₽ В наличии: 5 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 17.788100 ₽
10 шт. 17.180400 ₽
30 шт. 16.127700 ₽
90 шт. 15.208100 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT -
Рассеиваемая мощность (Pd) 882W
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 650V
Ток коллектора (Ic) 400A
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Рабочая температура -40℃~+175℃
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.9V@200A,15V
Заряд затвора (Qg) 157nC@400V
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 3.5V@250uA
Входная ёмкость (Cies) 5.012nF
Выходная ёмкость (Coes) 430pF
Проходная ёмкость (Cres) 100pF
Время задержки включения Td(on) 84ns
Время задержки выключения Td(off) 216ns
Энергия потерь при включении (Eon) 5.4mJ
Энергия потерь при выключении (Eoff) 3.8mJ
Время обратного восстановления (trr) 62ns

Описание

882W 400A 650V TO-247Plus одиночные IGBT-транзисторы RoHS