MICROCHIP 2N5115E3
Артикул: C3753178
Part Number: 2N5115E3
Производитель: MICROCHIP
от 15.806200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 43.107200 ₽ |
| 200 шт. | 16.682400 ₽ |
| 500 шт. | 16.096200 ₽ |
| 1000 шт. | 15.806200 ₽ |
Характеристики
| Количество | - |
| Напряжение отсечки затвор–исток (VGS(off)) | 3V |
| Напряжение пробоя затвор–исток (Vgss) | 30V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 500mW |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 100Ω |
| Рабочая температура | -65℃~+200℃ |
| Ток стока (Idss) | 15mA |
| Входная ёмкость Ciss | 25pF |
| Проходная ёмкость (Crss) | - |
| Выходная ёмкость (Coss) | - |
| Конфигурация | - |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
Описание
15mA 500mW 100Ω 30V TO-18(TO-206AA) полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом (JFET) RoHS