TI 2N5362
Артикул: C3753116
Part Number: 2N5362
Производитель: TI
от 0.453600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.237100 ₽ |
| 200 шт. | 0.479800 ₽ |
| 500 шт. | 0.462800 ₽ |
| 1000 шт. | 0.453600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение отсечки затвор–исток (VGS(off)) | 2V |
| Напряжение пробоя затвор–исток (Vgss) | 40V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 300mW |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | - |
| Рабочая температура | -65℃~+200℃ |
| Ток стока (Idss) | 8mA |
| Входная ёмкость Ciss | 6pF |
| Проходная ёмкость (Crss) | 2pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | - |
| Конфигурация | - |
| Тип полевого транзистора | - |
Описание
8mA 300mW 1 N-канальный 40V TO-72-4 полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом (JFET)