650V GaN FET с встроенный драйвер
Артикул: C36974967
Part Number: LMG3612REQR
Производитель: TI
от 9.426700 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 9.973600 ₽ |
| 10 шт. | 9.739200 ₽ |
| 30 шт. | 9.583000 ₽ |
| 100 шт. | 9.426700 ₽ |
Характеристики
| Количество каналов | 1 |
| Ток покоя (Iq) | 55uA |
| Рабочее напряжение | 10V~26V |
| Тип нагрузки | MOSFET |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Время спада | 21ns |
| Особенности | Enable shutdown;Dead-time control;Interleaved conduction protection;Overcurrent Protection;Built-in bootstrap diode;Charge pump boost |
| Входной логический уровень — высокий | 2.5V |
| Задержка распространения tpLH | 28ns |
| Входной логический уровень — низкий | 600mV |
| Задержка распространения tpHL | 33ns |
Описание
Драйвер затвора микросхема MOSFET VQFN-38(5.3x8)