Высоковольтный полумостовой драйвер затвора для GaN транзисторы

Высоковольтный полумостовой драйвер затвора для GaN транзисторы

Артикул: C3655710 Part Number: STDRIVEG600TR Производитель: ST
от 2.419200 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 3.867700 ₽
10 шт. 3.309200 ₽
30 шт. 2.979300 ₽
100 шт. 2.642900 ₽
500 шт. 2.488400 ₽
1000 шт. 2.419200 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип нагрузки MOSFET
Конфигурация управления Half-Bridge
Время задержки высокого уровня 45ns
Время задержки низкого уровня 45ns
Время спада 30ns
Время нарастания 30ns
Выходной ток высокого уровня (IOH) 6A
Напряжение питания 4.75V~20V
Выходной ток низкого уровня (IOL) 6A
Особенности Enable shutdown;Interleaved conduction protection;Built-in bootstrap diode
Ток покоя 900uA
Входной логический уровень — низкий 1.1V~1.45V
Входной логический уровень — высокий 2V~2.5V

Описание

4.75V~20V 6A 6A SO-16 драйверы затворов RoHS