LMG342xR030 600V 30mΩ GaN FET с встроенный драйвер, защита, и температура отчётность

LMG342xR030 600V 30mΩ GaN FET с встроенный драйвер, защита, и температура отчётность

Артикул: C3655275 Part Number: LMG3422R030RQZT Производитель: TI
от 17.798600 ₽ В наличии: 12 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 18.302000 ₽
10 шт. 17.798600 ₽

Datasheet

Характеристики

Конфигурация управления Half-Bridge
Ток покоя (Iq) 700uA
Рабочее напряжение 7.5V~18V
Тип нагрузки MOSFET
Рабочая температура -40℃~+150℃
Время нарастания 2.5ns
Время спада 21ns
Особенности Dead-time control;Interleaved conduction protection;Overcurrent Protection
Входной логический уровень — высокий 1.7V~2.45V
Входной логический уровень — низкий 700mV~1.3V

Описание

Полумостовой MOSFET 2.5ns 21ns VQFN-54(12x12) ключи распределения питания, драйверы нагрузок RoHS