Кремний карбид мощность MOSFET 650 V, 40 mQ типовое значение., 35 A in a TO-LL корпус
Артикул: C36180422
Part Number: SCT040TO65G3
Производитель: ST
от 8.310400 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 8.612300 ₽ |
| 10 шт. | 8.310400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 35A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 288W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4.2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 63mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 42.5nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 853pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 13pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 89pF |
Описание
650V 35A 4.2V 288W 63mΩ 1 N-канальный N-канальный TOLL-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS