Nexperia NHDTA114YTR
Артикул: C3589108
Part Number: NHDTA114YTR
Производитель: Nexperia
от 0.139600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.219600 ₽ |
| 50 шт. | 0.185500 ₽ |
| 150 шт. | 0.170800 ₽ |
| 500 шт. | 0.152600 ₽ |
| 3000 шт. | 0.144500 ₽ |
| 6000 шт. | 0.139600 ₽ |
Характеристики
| Тип | PNP |
| Количество | 1 PNP Pre-Biased |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 80V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 250mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 100 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 7V |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.6V@10mA,0.3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 13kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 4.7 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 100mV@10mA,0.5mA |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 150MHz |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
80V 100 100mA 250mW PNP 1 PNP со встроенными резисторами смещения TO-236AB одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS