Транзистор предварительное смещение NPN 50V TO-236-3(SOT-23-3)
Артикул: C3589019
Part Number: DTC123JCAT116
Производитель: ROHM
от 0.181000 ₽
В наличии: 75 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.347200 ₽ |
| 50 шт. | 0.276300 ₽ |
| 150 шт. | 0.245900 ₽ |
| 500 шт. | 0.208000 ₽ |
| 3000 шт. | 0.191100 ₽ |
| 6000 шт. | 0.181000 ₽ |
Характеристики
| Тип | - |
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 350mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 80 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.1V@5mA,0.3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV@5mA,0.25mA |
| Входной резистор | 2.86kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 26 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 1 NPN со встроенными резисторами смещения транзистор 50V 100mA 350mW поверхностный монтаж TO-236-3(SOT-23-3)