ROHM DTD114ECHZGT116
Артикул: C3588900
Part Number: DTD114ECHZGT116
Производитель: ROHM
от 0.024500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.045900 ₽ |
| 50 шт. | 0.036700 ₽ |
| 150 шт. | 0.032100 ₽ |
| 500 шт. | 0.028600 ₽ |
| 3000 шт. | 0.025900 ₽ |
| 6000 шт. | 0.024500 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Ток коллектора (Ic) | 500mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 56 |
| Рабочая температура | - |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 3V@10mA,300mV |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV@50mA,2.5mA |
| Входной резистор | 13kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 200MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
56 500mA 200mW NPN 1 NPN (со встроенными резисторами смещения) TO-236-3(SOT-23-3) одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS