Транзистор предварительное смещение 50V UMT3F
Артикул: C3588874
Part Number: DTA023YUBTL
Производитель: ROHM
от 0.066600 ₽
В наличии: 150 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.068700 ₽ |
| 100 шт. | 0.067800 ₽ |
| 300 шт. | 0.067200 ₽ |
| 1000 шт. | 0.066600 ₽ |
Характеристики
| Тип | PNP |
| Количество | 1 PNP Pre-Biased |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 35 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.4V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 150mV |
| Входной резистор | 2.2kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 4.5 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 50V 100mA 200mW поверхностный монтаж UMT3F