Infineon BCR135TE6327
Артикул: C3588817
Part Number: BCR135TE6327
Производитель: Infineon
от 0.008100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.022100 ₽ |
| 200 шт. | 0.008600 ₽ |
| 500 шт. | 0.008300 ₽ |
| 1000 шт. | 0.008100 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 70 |
| Рабочая температура | - |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.4V@2mA,0.3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 1V@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 13kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 0.24 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 300mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 150MHz |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
50V 70 100mA 200mW NPN 1 NPN (со встроенными резисторами смещения) SC-75 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения