ROHM EMG2T2R
Артикул: C3588816
Part Number: EMG2T2R
Производитель: ROHM
от 0.032200 ₽
В наличии: 30 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.034200 ₽ |
| 100 шт. | 0.033300 ₽ |
| 300 шт. | 0.032800 ₽ |
| 1000 шт. | 0.032200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 NPN (Pre-Biased) |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150mW |
| Тип | NPN |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 68 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Рабочая температура | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV@10mA,500uA |
| Входной резистор | 47kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
68 150mW 100mA 50V 2 NPN (со встроенными резисторами смещения) EMT-5 сборки биполярных транзисторов со встроенными резисторами смещения RoHS