Nexperia PDTC114EQBZ
Артикул: C3588812
Part Number: PDTC114EQBZ
Производитель: Nexperia
от 0.031800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.086800 ₽ |
| 200 шт. | 0.033600 ₽ |
| 500 шт. | 0.032400 ₽ |
| 1000 шт. | 0.031800 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Количество | 1 PNP Pre-Biased |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 420mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 30 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 10V |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 2.5V@10mA,0.3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 800mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | - |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 100mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 230MHz |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
50V 30 100mA 420mW NPN 1 PNP со встроенными резисторами смещения DFN-3(1.1x1) одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS