Транзистор предварительное смещение NPN 80V TSSOP-6
Артикул: C3588790
Part Number: NHUMD10X
Производитель: Nexperia
от 0.047900 ₽
В наличии: 1545 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.095600 ₽ |
| 50 шт. | 0.075100 ₽ |
| 150 шт. | 0.064800 ₽ |
| 500 шт. | 0.057100 ₽ |
| 3000 шт. | 0.051000 ₽ |
| 6000 шт. | 0.047900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN, 1 PNP Pre-Biased |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 80V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 350mW |
| Тип | NPN+PNP |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 100 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 7V |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.2V@10mA,300mV |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | - |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 26 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 100mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 170MHz |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 1 PNP со встроенными резисторами смещения транзистор, 1 NPN 80V 100mA 350mW поверхностный монтаж TSSOP-6