Транзистор предварительное смещение NPN 80V TO-236AB
Артикул: C3588772
Part Number: NHDTC114YTR
Производитель: Nexperia
от 0.023900 ₽
В наличии: 10 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.045500 ₽ |
| 100 шт. | 0.036200 ₽ |
| 300 шт. | 0.031600 ₽ |
| 3000 шт. | 0.028100 ₽ |
| 6000 шт. | 0.025300 ₽ |
| 9000 шт. | 0.023900 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 80V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 350mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 100 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 7V |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.22V@10mA,0.3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 10kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 4.7 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 100mV@10mA,0.5mA |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 170MHz |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 1 NPN со встроенными резисторами смещения транзистор 80V 100mA 350mW поверхностный монтаж TO-236AB