Транзистор предварительное смещение NPN 50V TO-236-3(SOT-23-3)
Артикул: C3588731
Part Number: DTD114ECT116
Производитель: ROHM
от 0.202900 ₽
В наличии: 3 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.426800 ₽ |
| 10 шт. | 0.331100 ₽ |
| 30 шт. | 0.290500 ₽ |
| 100 шт. | 0.238600 ₽ |
| 500 шт. | 0.215900 ₽ |
| 1000 шт. | 0.202900 ₽ |
Характеристики
| Тип | - |
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Ток коллектора (Ic) | 500mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 56 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV |
| Входной резистор | 10kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 200MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 1 NPN со встроенными резисторами смещения транзистор 50V 500mA 200mW поверхностный монтаж TO-236-3(SOT-23-3)