onsemi MUN5338DW1T3G
Артикул: C3588678
Part Number: MUN5338DW1T3G
Производитель: onsemi
от 0.015700 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.042600 ₽ |
| 200 шт. | 0.016500 ₽ |
| 500 шт. | 0.015900 ₽ |
| 1000 шт. | 0.015700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN, 1 PNP Pre-Biased |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 256mW |
| Тип | NPN+PNP |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 20 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Рабочая температура | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | - |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 600mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | - |
| Соотношение сопротивлений резисторов | - |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 250mV@10mA,0.3mA |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
20 256mW 100mA 50V 1 NPN, 1 PNP со встроенными резисторами смещения SOT-363 сборки биполярных транзисторов со встроенными резисторами смещения RoHS